从较高热膨胀向低热膨胀(LowCTE)演变
作者:旋乐吧网站    时间:2026-02-16    浏览:    来源:旋乐吧

  

从较高热膨胀向低热膨胀(LowCTE)演变

  电子产业链正迎来一场由AI驱动的全产业链通胀。这场通胀始于AI算力需求的爆发性增长,逐渐向上游传导,从核心芯片到被动元件,从存储环节到功率模拟,几乎所有细分领域都呈现出量价齐升的态势。海外云服务厂商率先提价,国内云厂紧随其后,存储芯片价格飙升,芯片测试、封测、被动元件等环节纷纷开启涨价模式。

  这场通胀的根源在于,各大科技巨头为抢占AI赛道制高点,疯狂加码资本开支。当前的价格上行还只是大厂卡位竞争、产能扩张带来的需求释放,尚未真正触及应用端爆发的临界点。回顾AI算力的需求逻辑,GPU核心算力供不应求后,产业便开始向存储、CPU挖掘潜在算力,向更宽的带宽、更快的调度效率索要算力,向云厂商、传统IDC转嫁算力需求,形成了全方位的算力挤兑。

  供需失衡的直接结果便是价格的全面上行。2025年以来,全球DRAM合约价一路走高,到三季度部分DRAM合约价同比涨幅高达171.8%,创下历史罕见涨幅纪录。更值得关注的是,这种供需失衡局面可能持续较长时间。新建的存储产能要到2027年才能逐步落地,而在此期间,AI数据中心仍在疯狂扩张,许多科技巨头已经签订了长期订单,提前锁定了未来几年的供货。

  电子行业的通胀并非孤立存在,而是具备强大的传导效应。金属、化工等领域已相继出现通胀预演,每一个具备持续性的局部通胀,都是撬动整体经济回暖的宝贵支点。在AI驱动的高频高速需求下,电子材料领域正在经历一场技术变革。电子布作为PCB-CCL产业链的关键增强材料,正在经历显著的产品升级迭代。特种电子布正从LowDk-1向LowDk-2升级,从较高热膨胀向低热膨胀(LowCTE)演变,甚至开始从玻璃纤维向石英纤维进化。

  目前海外BT材料大厂已明确表态,CTE布于2026年1月已提价20%,中国台湾地区每周报价都呈现上行趋势。传统电子布库存也处于极低水平,中国巨石库存不到15天,绝对值略低于4000万米。为满足AI服务器对布线密度和信号传输能力的高要求,高层数PCB和高密度互连(HDI)技术成为主流应用,同步带动上游CCL材料升级。

  在电子产业链通胀与国产替代双轮驱动下,A股市场多个优质标的展现出投资潜力。中国巨石作为玻璃玻纤行业的龙头企业,传统电子布库存极低,2026年出货量预计超11亿米,将直接受益于电子布涨价趋势。华正新材是低估的昇腾α标的,其覆铜板产品批量供货华为昇腾910C,受益于国产算力芯片的快速发展。随着CCL行业通胀传导,公司业绩弹性显著。

  宏和科技在CTE布领域具备弹性优势。公司成功研发出低介电电子纱产品,通过了国内外知名覆铜板企业认证,并形成批量订单。在CTE布供需紧张持续到2026年的背景下,公司有望充分受益。国际复材作为特种电子布的新军,在国内厂商加速技术突破和产能布局的浪潮中占据一席之地。

  中材科技在特种电子布领域占据中军地位,公司产品覆盖低介电一代纤维布、低介电二代纤维布、低膨胀纤维布及超低损耗低介电纤维布全品类产品。公司接连公告拟投资建设低介电纤维布/超低损耗低介电纤维布项目,预计26-27年公司特种玻纤布产能有望进一步延续较快增长。菲利华是国内石英纤维全产业链一体化龙头,是全球少数具有石英纤维批量生产能力的企业。在Q布领域,公司2月发货稳定在30万米+,成为下一代算力GPU及1.6T交换机关键材料的重要供应商。

  除了电子布领域的龙头企业,其他细分领域同样涌现出众多投资机会。兆易创新在NOR Flash领域全球前三,MCU国内龙头,GD32系列广泛用于AIoT领域,受益于存储芯片涨价潮。澜起科技作为内存接口芯片全球龙头,其DDR5+CKD方案用于AI服务器,2026年CKD放量后,单机价值量有望提升3倍。

  功率半导体领域,斯达半导的IGBT模块全球前十,车规+光伏+储能全覆盖,正在开发AI服务器专用高效率电源模块,技术壁垒较高。新洁能作为超结MOSFET龙头,是服务器和光伏电源主力供应商,直接受益于AI服务器电源效率要求提升。

  在被动元件领域,顺络电子是高频功率电感龙头,成为VPD电源核心供应商。三环集团则占据MLCC和陶瓷封装双龙头地位,其产品在SOFC滤波场景中是刚需。法拉电子作为薄膜电容绝对龙头,产品用于VPD、光伏逆变器、新能源车等多个高增长领域,高频高压薄膜电容技术壁垒极高,毛利率超过40%。

  电子产业链的通胀趋势具备强劲的持续性。据行业预测,2026年全球Server市场将迎来成长高峰,带动Enterprise SSD需求,预期将成为NAND Flash最大应用。然而供应商的产能有限,采取获利优先与控制出货策略,供给紧缩格局深化,推升Enterprise SSD价格。预计2026年第一季度一般型DRAM合约价环比增长55%-60%,NAND环比增长33%-38%。

  在投资策略上,应重点关注两个方向:一是考虑收入来源于存储产业链占比较高的半导体设备或材料公司;二是考虑未来业务有望实现从0到1的国产化替代突破的与存储产业链相关性较强的半导体设备或材料公司。不同细分领域的投资节奏也有所差异。例如,LowDK-1电子布可能率先出现过剩,而LowDK-2和LowCTE由于需求快速增长且短期供给释放较缓,供给紧缺可能持续到2026年。Q布作为下一代特种电子布的主要方案之一,有望随着英伟达新一代技术路线Rubin的出货而迎来需求放量。

  投资者需要关注产业链各环节的供需变化与技术演进,把握不同细分领域的投资时机。在这一轮电子产业链通胀中,那些具备技术壁垒、产能扩张能力以及客户资源优势的企业,有望获得超额增长红利。同时也要注意,部分标的短期内涨幅巨大,存在波动风险,投资者需结合自身风险承受能力谨慎决策。

  电子产业链的通胀周期已经确立,AI驱动下的需求爆发与供给瓶颈共同塑造了这场产业变局。从CTE布到传统电子布,从华正新材到中国巨石,投资机遇遍布产业链各个环节。抓住AI算力通胀这条核心主线,追踪产业链上尚未被充分定价的通胀环节,才能真正把握这一轮产业周期的红利。

  免责声明:以上内容仅供参考,不构成任何投资建议。市场有风险,投资需谨慎。文中提及标的涨幅巨大,可能存在波动风险,投资者应谨慎评估自身风险承受能力,独立做出投资决策。

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